ZnGeP2 - تويۇنغان ئىنفىرا قىزىل نۇرلۇق ئوپتىكا
مەھسۇلات چۈشەندۈرۈشى
بۇ ئۆزگىچە ئالاھىدىلىكلەر تۈپەيلىدىن ، ئۇ سىزىقسىز ئوپتىكىلىق قوللىنىشچان پروگراممىلارنىڭ ئەڭ ئۈمىدۋار ماتېرىياللىرىنىڭ بىرى دەپ ئاتالغان.ZnGeP2 ئوپتىكىلىق پارامېتىرلىق تەۋرىنىش (OPO) تېخنىكىسى ئارقىلىق 3-5 مىللىمېتىرلىق ئۇدا تەڭشىگىلى بولىدىغان لازېر ھاسىل قىلالايدۇ.3-5 مىللىمېتىرلىق ئاتموسفېرا يەتكۈزۈش كۆزنىكىدە مەشغۇلات قىلىدىغان لازېر نۇر ئىنفرا قىزىل نۇرنى ئۆلچەش ، خىمىيىلىك ئۆلچەش ، داۋالاش ئۈسكۈنىلىرى ۋە يىراقتىن سېزىش قاتارلىق نۇرغۇن قوللىنىشچان پروگراممىلاردا ئىنتايىن مۇھىم.
بىز ئىنتايىن تۆۋەن سۈمۈرۈلۈش كوئېففىتسېنتى α <0.05 cm-1 (پومپا دولقۇن ئۇزۇنلۇقى 2.0-2.1 µm) بىلەن يۇقىرى ئوپتىكىلىق سۈپەتلىك ZnGeP2 بىلەن تەمىنلىيەلەيمىز ، بۇ OPO ياكى OPA جەريانلىرى ئارقىلىق يۇقىرى ئۈنۈملۈك ئوتتۇرا ئىنفىرا قىزىل نۇرلۇق لازېر ھاسىل قىلىشقا ئىشلىتىلىدۇ.
بىزنىڭ ئىقتىدارىمىز
ھەرىكەتچان تېمپېراتۇرا مەيدانى تېخنىكىسى ZnGeP2 پولى كرىستاللىننى بىرىكتۈرۈش ئۈچۈن بارلىققا كەلگەن ۋە قوللىنىلغان.بۇ تېخنىكا ئارقىلىق 500g دىن يۇقىرى ساپلىقتىكى ZnGeP2 پولى كرىستاللىن غايەت زور دان بىلەن بىرىكتۈرۈلدى.
توغرىسىغا تەدرىجىي توڭلىتىش ئۇسۇلى يۆنىلىشلىك بويۇن تېخنىكىسى بىلەن بىرلەشتۈرۈلۈپ (يۆتكىلىش زىچلىقىنى ئۈنۈملۈك تۆۋەنلىتەلەيدۇ) يۇقىرى سۈپەتلىك ZnGeP2 نىڭ ئۆسۈشىگە مۇۋەپپەقىيەتلىك قوللىنىلدى.
دۇنيادىكى ئەڭ چوڭ دىئامېتىرى (Φ55 مىللىمېتىر) بولغان كىلوگىراملىق يۇقىرى سۈپەتلىك ZnGeP2 ۋېرتىكال Gradient توڭلىتىش ئۇسۇلى ئارقىلىق مۇۋەپپەقىيەتلىك ئۆستۈرۈلدى.
خىرۇستال ئۈسكۈنىلەرنىڭ يەر يۈزىنىڭ يىرىكلىكى ۋە تەكشىلىكى ئايرىم-ئايرىم ھالدا 5Å ۋە 1/8λ دىن تۆۋەن بولۇپ ، بىزنىڭ توزاق ئىنچىكە يۈزنى بىر تەرەپ قىلىش تېخنىكىسىمىزغا ئېرىشتى.
ئېنىق يۆنىلىش ۋە ئېنىق كېسىش تېخنىكىسىنىڭ قوللىنىلىشى سەۋەبىدىن خىرۇستال ئۈسكۈنىلەرنىڭ ئاخىرقى بۇلۇڭى 0.1 گرادۇستىن تۆۋەن.
ئەلا سۈپەتلىك ئۈسكۈنىلەر خرۇستالنىڭ سۈپىتىنىڭ يۇقىرىلىقى ۋە يۇقىرى دەرىجىدىكى خرۇستال بىر تەرەپ قىلىش تېخنىكىسىنىڭ قولغا كەلتۈرۈلگەنلىكى ئۈچۈن (3-5 مىللىمېتىرلىق ئوتتۇرا ئىنفىرا قىزىل نۇرلۇق تەڭشىگىلى بولىدىغان لازېر 2 مىللىمېتىرلىق نۇر بىلەن پومپىغا ئايلاندۇرغاندا ئايلاندۇرۇش ئۈنۈمى% 56 تىن يۇقىرى بولغان. مەنبە).
بىزنىڭ تەتقىقات گۇرۇپپىمىز ئۈزلۈكسىز ئىزدىنىش ۋە تېخنىكىدا يېڭىلىق يارىتىش ئارقىلىق ، يۇقىرى ساپلىقتىكى ZnGeP2 پولى كرىستاللىننىڭ بىرىكتۈرۈش تېخنىكىسىنى مۇۋەپپەقىيەتلىك ئىگىلىدى ، چوڭ-كىچىكلىكى ۋە يۇقىرى سۈپەتلىك ZnGeP2 ۋە خرۇستال يۆنىلىش ۋە يۇقىرى ئېنىقلىقتىكى پىششىقلاش تېخنىكىسى ؛ZnGeP2 ئۈسكۈنىلىرى ۋە ئەسلىدىكى چوڭايغان خرۇستالنى كەڭ كۆلەمدە ماسلاشتۇرىدۇ ، سۈمۈرۈلۈش كوئېففىتسېنتى تۆۋەن ، مۇقىملىقى ۋە يۇقىرى ئايلىنىش ئۈنۈمى بىلەن تەمىنلەيدۇ.شۇنىڭ بىلەن بىر ۋاقىتتا ، بىز بىر يۈرۈش خرۇستال ئىقتىدار سىناق سۇپىسىنى قۇردۇق ، بۇ بىزنىڭ خېرىدارلارنى خرۇستال ئىقتىدار سىناق مۇلازىمىتى بىلەن تەمىنلەش ئىقتىدارىمىزغا ئىگە قىلىدۇ.
قوللىنىشچان پروگراممىلار
2 ئىككىنچى ، ئۈچىنچى ۋە تۆتىنچى گارمون ئەۋلاد CO2 لازېر
2.0 ئوپتىكىلىق پارامېتىرلىق ئەۋرىشىم دولقۇن ئۇزۇنلۇقى 2.0 µm
CO ئىككىنچى خىل گارمون ئەۋلاد CO- لازېر
Sub 70.0 µm دىن 1000 µm غىچە سۇبلىمېتىرىتېرىدا ماس رادىئاتسىيە ھاسىل قىلىش
CO كىرىستال سۈزۈك رايوندا CO2- ۋە CO لازېرلىق رادىئاتسىيە ۋە باشقا لازېرلارنىڭ بىرىكمە چاستوتا ھاسىل قىلىشى.
Basic Properties
| خىمىيىلىك | ZnGeP2 |
| خرۇستال سىممېترىك ۋە سىنىپ | tetragonal, -42m |
| رېشاتكا پارامېتىرلىرى | a = 5.467 Å c = 12.736 Å |
| زىچلىقى | 4.162 g / cm3 |
| Mohs Hardness | 5.5 |
| ئوپتىكا سىنىپى | ئىجابىي بىردەك |
| ئىشلەتكۈچى يوللاش دائىرىسى | 2.0 um - 10.0 um |
| ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى @ T = 293 K. | 35 W / m ∙ K (⊥c) 36 W / m ∙ K (∥ c) |
| ئىسسىقلىق كېڭەيتىش @ T = 293 K دىن 573 K. | 17.5 x 106 K-1 (⊥c) 15.9 x 106 K-1 (∥ c) |
تېخنىكىلىق پارامېتىرلار
| دىئامېتىرى بەرداشلىق بېرىش | + 0 / -0.1 mm |
| ئۇزۇنغا بەرداشلىق بېرىش | ± 0.1 mm |
| يۆنىلىشكە بەرداشلىق بېرىش | <30 arcmin |
| Surface Quality | 20-10 SD |
| تەكشىلىك | <λ/4@632.8 nm |
| پاراللېل | <30 arcsec |
| Perpendicularity | <5 arcmin |
| Chamfer | <0.1 mm x 45 ° |
| ئېنىقلىق دائىرىسى | 0.75 - 12.0? M. |
| سىزىقسىز كوئېففىتسېنت | d36 = 68.9 pm / V (10.6μm) d36 = 75.0 pm / V (9.6 mm) |
| زىيان چەكلىمىسى | 60 MW/cm2 ,150ns@10.6μm |
